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Artikel 120 / 284
Artikeldetails
Transistorprüfer L2-23 , NEU
Art.Nr.: spez-0023
Transistorprüfer / Halbleitermessgerät L2-23, russische Bezeichnung Л2-23, neuwertig
Transistorprüfer L2-23 , NEU
Transistorprüfgerät / Halbleiterprüfgerät L2-23, neuwertig und ovp in Holzkiste!
Das Halbleitermessgerät L2-23, russische Bezeichnung Л2-23, dient zur Messung der Grundparameter von Kleinleistungstransistoren Typ "p-n-p" und "n-p-n" sowie Klein- und Mittelleistungsdioden, geeignet für den Betrieb im Labor, in der Werkstatt und mobil.
Betrieb bei:
* +5 bis +40°C
* relativer Luftfeuchtigkeit der Umgebung bis 90-95% bei Temperatur +30°C
* luftdruck: 750 +/- 30 mm Q.S.
Technische Daten
* Frequenz: 760 Hz +/- 5%
* Gleistrombetriebsarten: IE ~ 1mA , Uk ~ 4,5V und IE ~ 5mA , Uk ~ 4,5V
* Zustand: NEUWERIG , originale Verpackung in Holzkiste , NOS
* Dokumentation in deutsch vorhanden, Preis für Kopie bitte erfragen
* ungeprüft ab Stapel
Das Halbleitermessgerät L2-23, russische Bezeichnung Л2-23, dient zur Messung der Grundparameter von Kleinleistungstransistoren Typ "p-n-p" und "n-p-n" sowie Klein- und Mittelleistungsdioden, geeignet für den Betrieb im Labor, in der Werkstatt und mobil.
Betrieb bei:
* +5 bis +40°C
* relativer Luftfeuchtigkeit der Umgebung bis 90-95% bei Temperatur +30°C
* luftdruck: 750 +/- 30 mm Q.S.
Technische Daten
* Frequenz: 760 Hz +/- 5%
* Gleistrombetriebsarten: IE ~ 1mA , Uk ~ 4,5V und IE ~ 5mA , Uk ~ 4,5V
* Zustand: NEUWERIG , originale Verpackung in Holzkiste , NOS
* Dokumentation in deutsch vorhanden, Preis für Kopie bitte erfragen
* ungeprüft ab Stapel
"...
Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Пределы измерения: h21: (0,9...1) с + 5 %,h22: (0,4...4) мкСм с + 5 %,Iсво: (5...50) мкА с + 5 %,Параметры диодов Iобр: (20...300) мкА с + 5 %,Uпр: (0,5...2) В с + 5 %,Режим измерения: Ie = 1 мА Uс = 4,5 В,Ie = 5 мА Uс = 4,5 В,UR = (10...100) В с + 3 %, (50...400) В с + 3 %,If = (5...100) мА с + 3 %,(20...300) мА с+ 3 % ,Замена Л2-54;Л2-70
..."
"...
Messung der Parameter von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltungen Messbereich: H21: (0,9 ... 1) mit ± 5%, 22 h: (0,4 ... 4) MS S + 5% Isvo (5 .. .50) pA bis ± 5%, Optionen Iobr Dioden (20 ... 300) pa bis ± 5%, UBR (0,5 ... 2) mit einer ± 5%, Mess-Modus: Ie = 1 mA Uc = 4,5 V, Ie = 5 mA Vin = 4,5 V, UR = (10 ... 100) + 3% (50 ... 400) In + 3%, IF = (5 100 ...) mA + 3% (20 ... 300 mA) + 3%, Austauschen L2-54, L2-70
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Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Пределы измерения: h21: (0,9...1) с + 5 %,h22: (0,4...4) мкСм с + 5 %,Iсво: (5...50) мкА с + 5 %,Параметры диодов Iобр: (20...300) мкА с + 5 %,Uпр: (0,5...2) В с + 5 %,Режим измерения: Ie = 1 мА Uс = 4,5 В,Ie = 5 мА Uс = 4,5 В,UR = (10...100) В с + 3 %, (50...400) В с + 3 %,If = (5...100) мА с + 3 %,(20...300) мА с+ 3 % ,Замена Л2-54;Л2-70
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Messung der Parameter von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltungen Messbereich: H21: (0,9 ... 1) mit ± 5%, 22 h: (0,4 ... 4) MS S + 5% Isvo (5 .. .50) pA bis ± 5%, Optionen Iobr Dioden (20 ... 300) pa bis ± 5%, UBR (0,5 ... 2) mit einer ± 5%, Mess-Modus: Ie = 1 mA Uc = 4,5 V, Ie = 5 mA Vin = 4,5 V, UR = (10 ... 100) + 3% (50 ... 400) In + 3%, IF = (5 100 ...) mA + 3% (20 ... 300 mA) + 3%, Austauschen L2-54, L2-70
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Halbleitermessgerät L2-23 (russisch Л2-23)
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